- 學報動態(tài)“寬禁帶半導體功率器件封裝集成與可靠性”專題 征稿啟事2024-05-22 來源： | 點擊率：導語隨著“雙碳”進程加快和能源轉型深化，能源行業(yè)在未來很長一段時間將向著清潔低碳方向發(fā)展，為了滿足新形勢下經(jīng)濟社會發(fā)展的要求，風能、太陽能等新能源發(fā)電會成為電量主體。這些清潔能源的并網(wǎng)、傳輸和利用等相關環(huán)節(jié)對于未來充分高效利用清潔能源至關重要，而電力電子裝備是未來實現(xiàn)清潔能源并網(wǎng)及高效傳輸及利用的關鍵。對于電力電子裝備來說，功率半導體芯片經(jīng)過封裝集成形成的電力電子器件是其核心，因此，研究開發(fā)高性能的電力電子器件將成為推動能源轉型的基礎和關鍵。近年來，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體迅速發(fā)展，基于寬禁帶功率半導體芯片的功率半導體器件較傳統(tǒng)硅功率半導體器件有望具備高頻、高壓、高效及耐高溫的優(yōu)勢，但現(xiàn)有的封裝集成技術仍然沿用傳統(tǒng)硅電力電子器件的封裝技術，這些傳統(tǒng)封裝技術引入的寄生電感較大，且散熱能力不足，導致寬禁帶功率半導體器件無法真正發(fā)揮其優(yōu)勢，已經(jīng)成為制約整個產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術瓶頸。同時，寬禁帶功率半導體器件開關速度較高的特性使得部分寄生參數(shù)無法忽略，其理論模型相較傳統(tǒng)硅器件需要進行革新，此外，其失效機理以及可靠性優(yōu)化理論也有待進一步完善。因此，結合寬禁帶功率半導體器件從理論走向大規(guī)模應用過程中所面臨的技術難題，掌握其客觀演變規(guī)律，研究在不同應用場景下建模與可靠性優(yōu)化的新理論、新方法與新技術，以提升寬禁帶功率半導體器件性能與可靠性，已成為國內(nèi)外專家、學者和工程人員共同關注的焦點。 面向“雙碳目標”國家戰(zhàn)略的持續(xù)需求，在新能源發(fā)電、電氣化交通等新興應用領域，對變流器的效率、功率密度、可靠性提出了越來越高的要求。以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體功率器件，具有高頻、高效、高壓及耐高溫等優(yōu)異性能，可以有效降低變流器的功率損耗和體積重量。然而，相對于傳統(tǒng)硅功率器件，寬禁帶半導體功率器件具有更高的開關速度、熱流密度、楊氏模量，導致其長期面臨寄生效應重、結殼熱阻大、預期壽命短、可靠性差等關鍵技術難題，在高功率密度封裝集成與可靠性方面面臨嚴峻挑戰(zhàn)。因此，寬禁帶半導體功率器件突破了傳統(tǒng)硅器件的技術邊界，如何構建與之匹配的封裝集成與可靠運行方法，已成為國內(nèi)外專家、學者和工程師共同關注的焦點。
為了促進寬禁帶半導體功率器件規(guī)模化、標準化工程應用的發(fā)展，進一步繁榮學術交流、推進技術進步、共享科研成果，《電工技術學報》編輯部特邀西安交通大學王來利教授、海軍工程大學肖飛教授、重慶大學冉立教授、中國科學院電工研究所寧圃奇研究員、天津工業(yè)大學梅云輝教授、華中科技大學王智強教授、合肥工業(yè)大學李賀龍教授、重慶大學曾正教授、華北電力大學趙志斌教授和浙江大學羅皓澤教授作為客座主編，主持“寬禁帶半導體功率器件封裝集成與可靠性”專題，特向國內(nèi)外此領域的專家、學者征稿。
一、專題征稿范圍（包括但不限于）
1）寬禁帶半導體功率器件的多物理場建模與測試表征
2）寬禁帶半導體功率器件的先進互連與封裝結構
3）寬禁帶半導體功率器件的高壓/高溫/大容量封裝集成方法
4）寬禁帶半導體功率器件的壽命模型與剩余壽命預測
5）寬禁帶半導體功率器件的特征參量表征與檢測
6）寬禁帶半導體功率器件的可靠性設計與健康管理
7）人工智能在寬禁帶功率半導體器件設計與優(yōu)化中的應用
8）寬禁帶半導體功率器件封裝關鍵材料及其制備
9）基于寬禁帶功率半導體器件的電力電子模塊集成方法
10）寬禁帶功率半導體器件的驅動、保護與控制方法
11）寬禁帶功率半導體器件電磁噪聲產(chǎn)生機理與抑制方法
12）寬禁帶功率半導體器件在電能變換中的應用
二、征稿要求
1. 高質量的綜述，要求詳細介紹國內(nèi)外研究背景，對其他研究者的現(xiàn)有工作及自己的研究思路有較全面的陳述和較深入的討論；
2. 研究論文，要求設計和方法敘述清晰（包括理論計算、數(shù)值模擬、實驗仿真等）；
3. 重點突出，論述嚴謹，文字簡練，避免長篇公式推導；
4. 來稿請用word排版，格式參考《電工技術學報》網(wǎng)站投稿指南http://www.designweb.com.cn/html1/folder/1712/983-1.htm模板。
三、重要日期
投稿截止日期：2024年11月30日
預計刊出時間：2025年3/4月
四、投稿方式
請登錄《電工技術學報》官網(wǎng)http://www.designweb.com.cn投稿，稿件類型或者投稿欄目選擇“寬禁帶半導體功率器件封裝集成與可靠性”專題。真誠歡迎國內(nèi)外相關領域的專家學者以及國家級科研計劃承擔單位踴躍投稿！
五、客座主編
王來利 教授 西安交通大學 E-mail：llwang@mail.xjtu.edu.cn
肖 飛 教授 海軍工程大學 E-mail：xfeyninger@qq.com
冉 立 教授 重慶大學 E-mail：li.ran@cqu.edu.cn
寧圃奇 研究員 中國科學院電工研究所 E-mail：npq@mail.iee.ac.cn
梅云輝 教授 天津工業(yè)大學 E-mail：meiyunhui@163.com
王智強 教授 華中科技大學 E-mail：zhiqiangwang@hust.edu.cn
李賀龍 教授 合肥工業(yè)大學 E-mail：helong.li@hfut.edu.cn
曾 正 教授 重慶大學 E-mail：zengerzheng@cqu.edu.cn
趙志斌 教授 華北電力大學 E-mail：zhibinzhao@ncepu.edu.cn
羅皓澤 教授 浙江大學 E-mail：haozeluo@zju.edu.cn
編輯部聯(lián)系人: 陳 誠 010-63256981 dgjsxb_cc@126.com 郭麗軍 010-63256949 glijun@126.com
