功率半導(dǎo)體器件是電力電子裝置的核心元件,對(duì)整個(gè)裝置的性能有著決定性影響。目前廣泛采用的硅功率半導(dǎo)體器件已趨近其理論極限,成為制約電力電子技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸之一,因此亟需在硅功率半導(dǎo)體器件已有研究上取得新突破。同時(shí),以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶電力電子器件具有開關(guān)速度快、損耗低、耐高溫、耐高壓等特點(diǎn),其性能遠(yuǎn)超傳統(tǒng)的硅電力電子器件,是構(gòu)建新一代電力能源系統(tǒng)的基礎(chǔ)支撐。但是,目前寬禁帶電力電子器件及其封裝、集成與應(yīng)用中尚存在一系列基礎(chǔ)科學(xué)問題與關(guān)鍵技術(shù)難題,導(dǎo)致目前寬禁帶電力電子器件性能距離理論水平仍有較大差距。
為了促進(jìn)硅與寬禁帶功率半導(dǎo)體的相關(guān)研究,共享科學(xué)技術(shù)研究成果,《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》編輯部特邀浙江大學(xué)盛況教授、國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院楊霏(教授級(jí)高工)擔(dān)任特邀主編,湖南大學(xué)王俊教授、西安交通大學(xué)王來利教授、華中科技大學(xué)王智強(qiáng)教授擔(dān)任特邀副主編。組織“先進(jìn)功率半導(dǎo)體器件及封裝、集成與應(yīng)用”專題。特向國(guó)內(nèi)外專家、學(xué)者征稿,旨在通過學(xué)術(shù)會(huì)議加強(qiáng)交流,推動(dòng)相關(guān)理論研究與技術(shù)發(fā)展。
1.專題征稿范圍(包括但不限于)
(1)硅、寬禁帶電力電子器件設(shè)計(jì)與工藝
(2)硅、寬禁帶電力電子器件表征與建模方法
(3)硅、寬禁帶電力電子器件高性能封裝
(4)器件驅(qū)動(dòng)、保護(hù)與其它輔助電路
(5)器件高溫運(yùn)行、高壓絕緣技術(shù)
(6)高頻、高效、高功率密度變換器
(7)可靠性評(píng)估與壽命預(yù)測(cè)
(8)硅、寬禁帶變換器電磁干擾建模與抑制
(9)高性能無源元件與磁集成技術(shù)
2. 投稿要求
1)研究性論文。
2)綜述性論文,要求有全面的闡述和深刻的評(píng)論與見解。
3. 重要日期
1)專題投稿截止時(shí)間:2020年10月30日
2)期刊論文預(yù)計(jì)刊出時(shí)間:2021年1-3月
4. 投稿方式:
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聯(lián)系人:
《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》編輯部郭麗軍 郵箱:glijun@126.com 電話:010-63256949
特邀主編:
盛 況 教授 浙江大學(xué) shengk@zju.edu.cn
楊 霏 教授級(jí)高工 國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院 yangfei@geiri.sgcc.com.cn
特邀副主編:
王俊教授 湖南大學(xué) junwang@hnu.edu.cn
王來利教授 西安交通大學(xué) llwang@mail.xjtu.edu.cn
王智強(qiáng) 教授 華中科技大學(xué) zhiqiangwang@hust.edu.cn